实际上,将 DRAM 缩到 10nm 这样的尺寸并非易事,因为要给晶体管搭配对应的电容器,就意味着所有零件都必须做得更小。再加上三星的做法是「在大量纳米宽的晶体管上堆叠极窄的圆柱形电容器」,难度无疑就更加大了。为此厂方特意改进了初见于 NAND 内存上的四重成型技术(quadruple patterning),而最终的成品,和上代 20nm RAM 相比,速度快了 30%,同时功耗也有了 20% 的降幅。
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